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HMC478SC70

eeworld网站中关于HMC478SC70有8个元器件。有HMC478SC70、HMC478SC70等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
HMC478SC70 Hittite Microwave(ADI) 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER 下载
HMC478SC70 ADI(亚德诺半导体) 0MHz - 4000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER 下载
HMC478SC70_09 Hittite Microwave(ADI) SiGe HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 4 GHz 下载
HMC478SC70E Hittite Microwave(ADI) 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER 下载
HMC478SC70E ADI(亚德诺半导体) HMC478MP86 / HMC478SC70 / HMC478ST89 SiGe, HBT, gain block amplifier SMT, DC to 4 GHz 下载
HMC478SC70ETR ADI(亚德诺半导体) IC GAIN BLOCK AMP SC70 下载
HMC478SC70ETR Hittite Microwave(ADI) Wide Band Low Power Amplifier, 下载
HMC478SC70TR Hittite Microwave(ADI) Wide Band Low Power Amplifier, 下载
关于HMC478SC70相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
HMC478SC70ETR 、 HMC478SC70TR 下载文档
HMC478SC70 、 HMC478SC70E 下载文档
HMC478SC70ETR 下载文档
HMC478SC70_09 下载文档
HMC478SC70 下载文档
HMC478SC70E 下载文档
HMC478SC70资料比对:
型号 HMC478SC70 HMC478SC70E
描述 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
是否无铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Hittite Microwave(ADI) Hittite Microwave(ADI)
包装说明 TSSOP6,.08 TSSOP6,.08
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
特性阻抗 50 Ω 50 Ω
构造 COMPONENT COMPONENT
增益 23 dB 23 dB
最大输入功率 (CW) 5 dBm 5 dBm
JESD-609代码 e0 e3
安装特点 SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT
功能数量 1 1
端子数量 6 6
最大工作频率 4000 MHz 4000 MHz
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装等效代码 TSSOP6,.08 TSSOP6,.08
电源 5 V 5 V
射频/微波设备类型 WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率 82 mA 82 mA
表面贴装 YES YES
技术 BIPOLAR BIPOLAR
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
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