电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

HGTP10N120BN

在6个相关元器件中,HGTP10N120BN有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
HGTP10N120BN Intersil ( Renesas ) 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT 下载
HGTP10N120BN Fairchild 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT 下载
HGTP10N120BN Rochester Electronics 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, ALTERNATE VERSION, TO-220AB, 3 PIN 下载
HGTP10N120BN Harris Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB 下载
HGTP10N120BN Renesas(瑞萨电子) 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB ALTERNATE VERSION, 3 PIN 下载
HGTP10N120BN ON Semiconductor(安森美) —— 下载
HGTP10N120BN的相关参数为:

器件描述

35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB ALTERNATE VERSION, 3 PIN

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codenot_compliant
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)35 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)140 ns
门极发射器阈值电压最大值6.8 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)198 W
认证状态Not Qualified
最大上升时间(tr)15 ns
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)330 ns
标称接通时间 (ton)32 ns
Base Number Matches1
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   1K 3R 5V 5X E2 EP FK FX H2 I7 O2 RJ VU VX X9

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved