器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
GT30J122 | Toshiba(东芝) | 4TH GENERATION IGBT CURRENT RESONANCE INVERTER SWITCHING | 下载 |
GT30J122A | Toshiba(东芝) | Dedicated to Current-Resonant Inverter Switching Applications Dedicated to Partial-Switching Power Factor rrection (PFC) Applications | 下载 |
GT30J122A(STA1,E,D | Toshiba(东芝) | —— | 下载 |
4TH GENERATION IGBT CURRENT RESONANCE INVERTER SWITCHING
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
其他特性 | HIGH SPEED |
最大集电极电流 (IC) | 30 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V |
配置 | SINGLE |
最大降落时间(tf) | 400 ns |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 75 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 400 ns |
标称接通时间 (ton) | 300 ns |
Base Number Matches | 1 |
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