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GT30J122(Q)

在3个相关元器件中,GT30J122(Q)有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
GT30J122 Toshiba(东芝) 4TH GENERATION IGBT CURRENT RESONANCE INVERTER SWITCHING 下载
GT30J122A Toshiba(东芝) Dedicated to Current-Resonant Inverter Switching Applications Dedicated to Partial-Switching Power Factor rrection (PFC) Applications 下载
GT30J122A(STA1,E,D Toshiba(东芝) —— 下载
GT30J122(Q)的相关参数为:

器件描述

4TH GENERATION IGBT CURRENT RESONANCE INVERTER SWITCHING

参数
参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
其他特性HIGH SPEED
最大集电极电流 (IC)30 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)400 ns
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)75 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)400 ns
标称接通时间 (ton)300 ns
Base Number Matches1
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