电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

GS8662T18BGD-300I

在2个相关元器件中,GS8662T18BGD-300I有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
GS8662T18BGD-300I GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M 下载
GS8662T18BGD-300IT GSI Technology DDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 下载
GS8662T18BGD-300I的相关参数为:

器件描述

SRAM 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明LBGA, BGA165,11X15,40
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
Factory Lead Time8 weeks
最长访问时间0.45 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE
最大时钟频率 (fCLK)300 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
长度15 mm
内存密度75497472 bit
内存集成电路类型DDR SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最小待机电流1.7 V
最大压摆率0.505 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度13 mm
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   1P 3V B7 EO GW IF LY MP NO OK WB X8 Y0 Y7 ZP

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved