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GS84036CGT-200

eeworld网站中关于GS84036CGT-200有3个元器件。有GS84036CGT-200、GS84036CGT-200I等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
GS84036CGT-200 GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M 下载
GS84036CGT-200I GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M 下载
GS84036CGT-200IT GSI Technology Cache SRAM, 128KX36, 6.5ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 下载
关于GS84036CGT-200相关文档资料:
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GS84036CGT-200 、 GS84036CGT-200I 下载文档
GS84036CGT-200IT 下载文档
GS84036CGT-200资料比对:
型号 GS84036CGT-200 GS84036CGT-200I
描述 SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 GSI Technology GSI Technology
包装说明 LQFP, LQFP,
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
Factory Lead Time 12 weeks 12 weeks
最长访问时间 6.5 ns 6.5 ns
其他特性 FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
长度 20 mm 20 mm
内存密度 4718592 bit 4718592 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 36 36
湿度敏感等级 3 3
功能数量 1 1
端子数量 100 100
字数 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C
组织 128KX36 128KX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP LQFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Pure Matte Tin (Sn) Pure Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 14 mm 14 mm
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