器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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GS8342T18BGD-350 | GSI Technology | DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 下载 |
GS8342T18BGD-350I | GSI Technology | SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 18 36M | 下载 |
GS8342T18BGD-350IT | GSI Technology | DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 下载 |
GS8342T18BGD-350T | GSI Technology | DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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GS8342T18BGD-350 、 GS8342T18BGD-350IT 、 GS8342T18BGD-350T | 下载文档 |
GS8342T18BGD-350I | 下载文档 |
型号 | GS8342T18BGD-350T | GS8342T18BGD-350 | GS8342T18BGD-350IT |
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描述 | DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 | DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | BGA | BGA | BGA |
包装说明 | LBGA, BGA165,11X15,40 | LBGA, BGA165,11X15,40 | LBGA, BGA165,11X15,40 |
针数 | 165 | 165 | 165 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B |
最长访问时间 | 0.45 ns | 0.45 ns | 0.45 ns |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK) | 350 MHz | 350 MHz | 350 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 |
长度 | 15 mm | 15 mm | 15 mm |
内存密度 | 37748736 bit | 37748736 bit | 37748736 bit |
内存集成电路类型 | DDR SRAM | DDR SRAM | DDR SRAM |
内存宽度 | 18 | 18 | 18 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 165 | 165 | 165 |
字数 | 2097152 words | 2097152 words | 2097152 words |
字数代码 | 2000000 | 2000000 | 2000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 85 °C |
组织 | 2MX18 | 2MX18 | 2MX18 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LBGA | LBGA | LBGA |
封装等效代码 | BGA165,11X15,40 | BGA165,11X15,40 | BGA165,11X15,40 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 1.5/1.8,1.8 V | 1.5/1.8,1.8 V | 1.5/1.8,1.8 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.4 mm | 1.4 mm | 1.4 mm |
最大待机电流 | 0.21 A | 0.21 A | 0.22 A |
最小待机电流 | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
最大压摆率 | 0.565 mA | 0.565 mA | 0.575 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL | BALL | BALL |
端子节距 | 1 mm | 1 mm | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 13 mm | 13 mm | 13 mm |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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