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GS8182T08BGD-375I

在2个相关元器件中,GS8182T08BGD-375I有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
GS8182T08BGD-375I GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 8 18M 下载
GS8182T08BGD-375IT GSI Technology DDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 下载
GS8182T08BGD-375I的相关参数为:

器件描述

SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 8 18M

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明LBGA,
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
Factory Lead Time8 weeks
最长访问时间0.45 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
长度15 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型DDR SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度13 mm
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