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GS816236DB-375

eeworld网站中关于GS816236DB-375有4个元器件。有GS816236DB-375、GS816236DB-375I等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
GS816236DB-375 GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 下载
GS816236DB-375I GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 下载
GS816236DB-375IT GSI Technology Cache SRAM, 512KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, FPBGA-119 下载
GS816236DB-375T GSI Technology Cache SRAM, 512KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, FPBGA-119 下载
关于GS816236DB-375相关文档资料:
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GS816236DB-375IT 、 GS816236DB-375T 下载文档
GS816236DB-375 、 GS816236DB-375I 下载文档
GS816236DB-375资料比对:
型号 GS816236DB-375 GS816236DB-375I
描述 SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 GSI Technology GSI Technology
零件包装代码 BGA BGA
包装说明 BGA, BGA,
针数 119 119
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
Factory Lead Time 10 weeks 10 weeks
最长访问时间 4.2 ns 4.2 ns
其他特性 ALSO OPERATES AT 3.3V ALSO OPERATES AT 3.3V
JESD-30 代码 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119
长度 22 mm 22 mm
内存密度 18874368 bit 18874368 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 36 36
功能数量 1 1
端子数量 119 119
字数 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C
组织 512KX36 512KX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
座面最大高度 1.99 mm 1.99 mm
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 14 mm 14 mm
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