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GS8160Z36DGT-375

eeworld网站中关于GS8160Z36DGT-375有4个元器件。有GS8160Z36DGT-375、GS8160Z36DGT-375I等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
GS8160Z36DGT-375 GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 下载
GS8160Z36DGT-375I GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 下载
GS8160Z36DGT-375IT GSI Technology ZBT SRAM, 1MX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 下载
GS8160Z36DGT-375T GSI Technology ZBT SRAM, 512KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 下载
关于GS8160Z36DGT-375相关文档资料:
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GS8160Z36DGT-375IT 、 GS8160Z36DGT-375T 下载文档
GS8160Z36DGT-375 、 GS8160Z36DGT-375I 下载文档
GS8160Z36DGT-375资料比对:
型号 GS8160Z36DGT-375 GS8160Z36DGT-375I
描述 SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 GSI Technology GSI Technology
零件包装代码 QFP QFP
包装说明 LQFP, LQFP,
针数 100 100
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
Factory Lead Time 10 weeks 10 weeks
最长访问时间 4.2 ns 4.2 ns
其他特性 PIPELINE ARCHITECTURE, FLOW-THROUGH, ALSO OPERATES AT 3.3V PIPELINE ARCHITECTURE, FLOW-THROUGH, ALSO OPERATES AT 3.3V
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
长度 20 mm 20 mm
内存密度 18874368 bit 18874368 bit
内存集成电路类型 ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 36 18
功能数量 1 1
端子数量 100 100
字数 524288 words 1048576 words
字数代码 512000 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C
组织 512KX36 1MX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP LQFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 14 mm 14 mm
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