器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
GS81282Z18GB-200IV | GSI Technology | SRAM, | 下载 |
SRAM,
参数名称 | 属性值 |
Objectid | 145001402884 |
包装说明 | BGA, |
Reach Compliance Code | compliant |
Country Of Origin | Taiwan |
ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
Factory Lead Time | 24 weeks |
Date Of Intro | 2017-10-24 |
YTEOL | 7.35 |
最长访问时间 | 6.5 ns |
其他特性 | IT ALSO OPERATES AT 2.5 V NOMINAL SUPPLY VOLTAGE |
最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 |
长度 | 22 mm |
内存密度 | 150994944 bit |
内存集成电路类型 | ZBT SRAM |
内存宽度 | 18 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 119 |
字数 | 8388608 words |
字数代码 | 8000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 100 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 8MX18 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | YES |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA |
封装等效代码 | BGA119,7X17,50 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
座面最大高度 | 1.99 mm |
最大待机电流 | 110 A |
最小待机电流 | 1.7 V |
最大压摆率 | 0.41 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 14 mm |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved