器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
GBJ808-F | Diodes | 8 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 下载 |
GBJ808-F | Diodes Incorporated | Bridge Rectifiers 8.0A 800V | 下载 |
Bridge Rectifiers 8.0A 800V
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Diodes Incorporated |
包装说明 | R-PSFM-T4 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Factory Lead Time | 45 weeks |
其他特性 | UL RECOGNIZED |
最小击穿电压 | 800 V |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1 V |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T4 |
JESD-609代码 | e3 |
最大非重复峰值正向电流 | 170 A |
元件数量 | 4 |
相数 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
最大输出电流 | 8 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 800 V |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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