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FS50VSJ

eeworld网站中关于FS50VSJ有24个元器件。有FS50VSJ-03、FS50VSJ-03等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
FS50VSJ-03 Mitsubishi(日本三菱) HIGH-SPEED SWITCHING USE 下载
FS50VSJ-03 Renesas(瑞萨电子) MITSUBISHI Nch POWER MOSFET 下载
FS50VSJ-03 POWEREX Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE 下载
FS50VSJ-03_15 Renesas(瑞萨电子) HIGH-SPEED SWITCHING USE 下载
FS50VSJ-03-T1 Mitsubishi(日本三菱) Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 4 PIN 下载
FS50VSJ-03-T2 Mitsubishi(日本三菱) Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 4 PIN 下载
FS50VSJ-06 Mitsubishi(日本三菱) HIGH-SPEED SWITCHING USE 下载
FS50VSJ-06 Renesas(瑞萨电子) MITSUBISHI Nch POWER MOSFET 下载
FS50VSJ-06 POWEREX Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE 下载
FS50VSJ-06_15 Renesas(瑞萨电子) HIGH-SPEED SWITCHING USE 下载
FS50VSJ-06-T1 Mitsubishi(日本三菱) Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 3 PIN 下载
FS50VSJ-06-T2 Mitsubishi(日本三菱) Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 3 PIN 下载
FS50VSJ-2 Mitsubishi(日本三菱) HIGH-SPEED SWITCHING USE 下载
FS50VSJ-2 Renesas(瑞萨电子) High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET 下载
FS50VSJ-2 POWEREX Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE 下载
FS50VSJ-2-A1 Renesas(瑞萨电子) High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET 下载
FS50VSJ-2-T1 Mitsubishi(日本三菱) Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 3 PIN 下载
FS50VSJ-2-T11 Renesas(瑞萨电子) High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET 下载
FS50VSJ-2-T2 Mitsubishi(日本三菱) Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 3 PIN 下载
FS50VSJ-3 POWEREX Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE 下载
FS50VSJ-3 Renesas(瑞萨电子) MITSUBISHI Nch POWER MOSFET 下载
FS50VSJ-3 Mitsubishi(日本三菱) HIGH-SPEED SWITCHING USE 下载
FS50VSJ-3-T1 Mitsubishi(日本三菱) Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 3 PIN 下载
FS50VSJ-3-T2 Mitsubishi(日本三菱) Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 3 PIN 下载
关于FS50VSJ相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
FS50VSJ-2 、 FS50VSJ-2-A1 、 FS50VSJ-2-T11 下载文档
FS50VSJ-2-T1 、 FS50VSJ-2-T2 下载文档
FS50VSJ-3-T1 、 FS50VSJ-3-T2 下载文档
FS50VSJ-06-T1 、 FS50VSJ-06-T2 下载文档
FS50VSJ-03-T1 、 FS50VSJ-03-T2 下载文档
FS50VSJ-3 下载文档
FS50VSJ-03 下载文档
FS50VSJ-3 下载文档
FS50VSJ-03 下载文档
FS50VSJ-3 下载文档
FS50VSJ资料比对:
型号 FS50VSJ-2 FS50VSJ-2-A1 FS50VSJ-2-T11
描述 High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 TO-220S TO-220S TO-220S
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SC-83, TO-220S, 3 PIN SC-83, TO-220S, 3 PIN
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 50 A 50 A 50 A
最大漏源导通电阻 0.052 Ω 0.052 Ω 0.052 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 200 A 200 A 200 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
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