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FQU1N60CTU

在2个相关元器件中,FQU1N60CTU有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
FQU1N60CTU Fairchild POWER, FET 下载
FQU1N60CTU ON Semiconductor(安森美) MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series 下载
FQU1N60CTU的相关参数为:

器件描述

MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
制造商包装代码369AR
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys Confidence3
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID167524
Samacsys Pin Count3
Samacsys Part CategoryIntegrated Circuit
Samacsys Package CategoryTransistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint NameTO-251 3L (IPAK)
Samacsys Released Date2015-11-24 02:12:47
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)33 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1 A
最大漏极电流 (ID)1 A
最大漏源导通电阻3.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)28 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)4 A
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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