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FDS86141

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器件名 厂商 描 述 功能
FDS86141 Fairchild Analog Front End - AFE Low-Noise,8-Ch,24B AFE 下载
FDS86141 ON Semiconductor(安森美) MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOIC 下载
FDS86141的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOIC

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
制造商包装代码751EB
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time26 weeks
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)7 A
最大漏极电流 (ID)7 A
最大漏源导通电阻0.023 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)13 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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