| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| FDS86141 | Fairchild | Analog Front End - AFE Low-Noise,8-Ch,24B AFE | 下载 |
| FDS86141 | ON Semiconductor(安森美) | MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOIC | 下载 |
MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOIC
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 制造商包装代码 | 751EB |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 26 weeks |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 7 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 7 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.023 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 13 pF |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 5 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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