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FDS4685

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器件名 厂商 描 述 功能
FDS4685 ON Semiconductor(安森美) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.2A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 8.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 下载
FDS4685 Fairchild MOSFET 40V PCH POWER TRENCH MOSFET 下载
FDS4685 Rochester Electronics 8200mA, 40V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SO-8 下载
FDS4685-NF074 Fairchild Transistor 下载
FDS4685的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.2A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 8.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
制造商包装代码751EB
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)8.2 A
最大漏极电流 (ID)8.2 A
最大漏源导通电阻0.027 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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