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FCPF16N60

eeworld网站中关于FCPF16N60有7个元器件。有FCPF16N60、FCPF16N60等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
FCPF16N60 Rochester Electronics 16A, 600V, 0.26ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN 下载
FCPF16N60 Fairchild 16 A, 600 V, 0.26 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
FCPF16N60 ON Semiconductor(安森美) MOSFET 600V N-CH SuperFET 下载
FCPF16N60 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
FCPF16N60NT ON Semiconductor(安森美) MOSFET N-CH 600V TO-220-3 下载
FCPF16N60NT Fairchild MOSFET SupreMOS 16A 下载
FCPF16N60NT ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
关于FCPF16N60相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
FCPF16N60NT 、 FCPF16N60NT 下载文档
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FCPF16N60资料比对:
型号 FCPF16N60NT FCPF16N60NT
描述 MOSFET N-CH 600V TO-220-3 MOSFET SupreMOS 16A
Brand Name ON Semiconductor Fairchild Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) Fairchild
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 ROHS COMPLIANT, TO-220F, 3 PIN
制造商包装代码 221AT TO220, MOLDED, 3LD, FULL PACK, EIAJ SC91, STRAIGHT LEAD
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 355 mJ 355 mJ
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V 600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 16 A 16 A
最大漏极电流 (ID) 16 A 16 A
最大漏源导通电阻 0.199 Ω 0.199 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 35.7 W 35.7 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 48 A 48 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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