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FCPF1300N80Z

eeworld网站中关于FCPF1300N80Z有5个元器件。有FCPF1300N80Z、FCPF1300N80Z等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
FCPF1300N80Z ON Semiconductor(安森美) MOSFET N-CH 800V 4A TO220F 下载
FCPF1300N80Z Fairchild MOSFET SF2 800V 1.3OHM E TO220F 下载
FCPF1300N80Z ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
FCPF1300N80ZYD Fairchild MOSFET SF2 800V 1.3OHM E TO220F 下载
FCPF1300N80ZYD ON Semiconductor(安森美) MOSFET N-CH 800V 4A TO220F 下载
关于FCPF1300N80Z相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
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FCPF1300N80Z 、 FCPF1300N80ZYD 下载文档
FCPF1300N80Z资料比对:
型号 FCPF1300N80ZYD FCPF1300N80Z
描述 MOSFET N-CH 800V 4A TO220F MOSFET N-CH 800V 4A TO220F
FET 类型 N 沟道 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 800V 800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc) 4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.3 欧姆 @ 2A,10V 1.3 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 400µA 4.5V @ 400µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 10V 21nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 100V 880pF @ 100V
功率耗散(最大值) 24W(Tc) 24W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔 通孔
供应商器件封装 TO-220F-3(Y 型) TO-220F
封装/外壳 TO-220-3 全封装,成形引线 TO-220-3 整包
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