| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| FCPF1300N80Z | ON Semiconductor(安森美) | MOSFET N-CH 800V 4A TO220F | 下载 |
| FCPF1300N80Z | Fairchild | MOSFET SF2 800V 1.3OHM E TO220F | 下载 |
| FCPF1300N80Z | ISC | isc N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
| FCPF1300N80ZYD | Fairchild | MOSFET SF2 800V 1.3OHM E TO220F | 下载 |
| FCPF1300N80ZYD | ON Semiconductor(安森美) | MOSFET N-CH 800V 4A TO220F | 下载 |
| 对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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| FCPF1300N80Z 、 FCPF1300N80ZYD | 下载文档 |
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| 型号 | FCPF1300N80ZYD | FCPF1300N80Z |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 4A TO220F | MOSFET N-CH 800V 4A TO220F |
| FET 类型 | N 沟道 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 4A(Tc) | 4A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 10V |
| 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 1.3 欧姆 @ 2A,10V | 1.3 欧姆 @ 2A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 400µA | 4.5V @ 400µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 21nC @ 10V | 21nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 880pF @ 100V | 880pF @ 100V |
| 功率耗散(最大值) | 24W(Tc) | 24W(Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 通孔 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220F-3(Y 型) | TO-220F |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装,成形引线 | TO-220-3 整包 |
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