| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| FCPF11N60NT | Fairchild | 10.8 A, 600 V, 0.299 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 下载 |
| FCPF11N60NT | ON Semiconductor(安森美) | 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.8A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:299mΩ @ 5.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32.1W 类型:N沟道 N沟道,600V,10.8A,299mΩ@10V | 下载 |
| FCPF11N60NT | ISC | isc N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
| FCPF11N60NTYDTU | Fairchild | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 下载 |
漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.8A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:299mΩ @ 5.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32.1W 类型:N沟道 N沟道,600V,10.8A,299mΩ@10V
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 制造商包装代码 | 221AT |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 雪崩能效等级(Eas) | 201.7 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 10.8 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 10.8 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.299 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 32.1 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 32.4 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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