| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| FCMT250N65S3 | ON Semiconductor(安森美) | SUPERFET3 650V PQFN88 | 下载 |
SUPERFET3 650V PQFN88
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 12A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
| 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 250 毫欧 @ 6A, 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 1.2mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 24nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±30V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1010pF @ 400V |
| 功率耗散(最大值) | 90W(Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | Power88 |
| 封装/外壳 | 4-PowerTSFN |
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