电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

FCMT250N65S3

在1个相关元器件中,FCMT250N65S3有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
FCMT250N65S3 ON Semiconductor(安森美) SUPERFET3 650V PQFN88 下载
FCMT250N65S3的相关参数为:

器件描述

SUPERFET3 650V PQFN88

参数
参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)250 毫欧 @ 6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)24nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1010pF @ 400V
功率耗散(最大值)90W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装Power88
封装/外壳4-PowerTSFN
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   1O 1S 2Y 8B 8R 8Z IO JB KB KN MI MU PA S1 XJ

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved