| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| ESDL2011PFCT5G | ON Semiconductor(安森美) | ENCAPSULATED DSN | 下载 |
ENCAPSULATED DSN
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 包装说明 | R-PDSO-N2 |
| 制造商包装代码 | 152AX |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Factory Lead Time | 4 weeks |
| 其他特性 | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW CAPACITANCE |
| 最大击穿电压 | 2.3 V |
| 最小击穿电压 | 1.4 V |
| 击穿电压标称值 | 1.65 V |
| 最大钳位电压 | 6 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性 | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 0.313 W |
| 参考标准 | IEC-61000-4-2, 4-5 |
| 最大重复峰值反向电压 | 1 V |
| 最大反向电流 | 0.5 µA |
| 反向测试电压 | 1 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
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