| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| ESDA6V1P6 | ST(意法半导体) | 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):- 箝位电压:- 击穿电压(最小值):6.1V 反向关断电压(典型值):- 6.1V 150W | 下载 |
极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):- 箝位电压:- 击穿电压(最小值):6.1V 反向关断电压(典型值):- 6.1V 150W
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | SOT |
| 包装说明 | R-PDSO-F6 |
| 针数 | 6 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 11 weeks |
| Samacsys Description | STMICROELECTRONICS - ESDA6V1P6 - TRANSIL ARRAY UNID ESD SOT666IP |
| 最大击穿电压 | 7.2 V |
| 最小击穿电压 | 6.1 V |
| 击穿电压标称值 | 6.65 V |
| 配置 | COMMON ANODE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 150 W |
| 元件数量 | 4 |
| 端子数量 | 6 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 极性 | UNIDIRECTIONAL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
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