GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | GaNFET(氮化镓) |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 1.7A |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V |
| 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 80 毫欧 @ 1A,5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 600µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | .83nC @ 5V |
| Vgs(最大值) | +5.75V, -4V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 88pF @ 50V |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | 模具 |
| 封装/外壳 | 模具 |
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