器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
EMG2T2R | ROHM(罗姆半导体) | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 30MA | 下载 |
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 30MA
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) |
零件包装代码 | SC-107 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
针数 | 5 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 13 weeks |
其他特性 | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
最大集电极电流 (IC) | 0.03 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 68 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码 | e2 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 5 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Copper (Sn/Cu) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 250 MHz |
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