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DMT3009LDT

在3个相关元器件中,DMT3009LDT有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
DMT3009LDT Diodes N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 下载
DMT3009LDT-13 Diodes 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:11.1mΩ @ 14.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 下载
DMT3009LDT-7 Diodes 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:11.1mΩ @ 14.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.2W 类型:双N沟道(半桥) 双N沟道 下载
DMT3009LDT的相关参数为:

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