器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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DMT3009LDT | Diodes | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 下载 |
DMT3009LDT-13 | Diodes | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:11.1mΩ @ 14.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 | 下载 |
DMT3009LDT-7 | Diodes | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:11.1mΩ @ 14.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.2W 类型:双N沟道(半桥) 双N沟道 | 下载 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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