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DMN10H220L-13

在2个相关元器件中,DMN10H220L-13有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
DMN10H220L-13 Diodes SMALL SIGNAL, FET 下载
DMN10H220L-13 Diodes Incorporated MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W 下载
DMN10H220L-13的相关参数为:

器件描述

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time16 weeks
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)1.4 A
最大漏源导通电阻0.22 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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