器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
DMN10H220L-13 | Diodes | SMALL SIGNAL, FET | 下载 |
DMN10H220L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W | 下载 |
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Diodes Incorporated |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 16 weeks |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 1.4 A |
最大漏源导通电阻 | 0.22 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
参考标准 | AEC-Q101 |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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