| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| CEU12N10 | CET | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):43W 类型:N沟道 N沟道,100V,11A,180mΩ@10V | 下载 |
| CEU12N10 | Chino-Excel | Transistor | 下载 |
| CEU12N10 | 台湾微碧(VBsemi) | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET | 下载 |
| CEU12N10L | CET | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | 下载 |
| CEU12N10L | Chino-Excel | Transistor | 下载 |
Transistor
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Chino-Excel |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Base Number Matches | 1 |
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