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CEU12N10

在5个相关元器件中,CEU12N10有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
CEU12N10 CET 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):43W 类型:N沟道 N沟道,100V,11A,180mΩ@10V 下载
CEU12N10 Chino-Excel Transistor 下载
CEU12N10 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 下载
CEU12N10L CET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 下载
CEU12N10L Chino-Excel Transistor 下载
CEU12N10的相关参数为:

器件描述

Transistor

参数
参数名称属性值
厂商名称Chino-Excel
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1
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