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BU9833GUL-WE2

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器件名 厂商 描 述 功能
BU9833GUL-WE2 ROHM(罗姆半导体) EEPROM 512k 64Kx8 2.5V SER EE IND 下载
BU9833GUL-WE2的相关参数为:

器件描述

EEPROM 512k 64Kx8 2.5V SER EE IND

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
Objectid1008501685
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA, BGA6,2X3,20
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time10 weeks
compound_id4198408
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010D00R
JESD-30 代码R-PBGA-B6
长度1.5 mm
内存密度2048 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量6
字数256 words
字数代码256
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA6,2X3,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.55 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000002 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.5 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度1.27 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE
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