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BSS138Q-7-F

在2个相关元器件中,BSS138Q-7-F有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
BSS138Q-7-F Diodes 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 220mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道 N沟道,50V,200mA 下载
BSS138Q-7-F Diodes Incorporated MOSFET 50V N-Ch Enh FET 20Vgss 300Pd 200mA 下载
BSS138Q-7-F的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 220mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道 N沟道,50V,200mA

参数
参数名称属性值
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)200mA
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻3.5Ω @ 220mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)300mW
类型N沟道
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