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BSS138-TP

eeworld网站中关于BSS138-TP有3个元器件。有BSS138-TP、BSS138-TP等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
BSS138-TP MCC 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):220mA 栅源极阈值电压:1.5V @ 1mA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 220mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 下载
BSS138-TP Micro Commercial Components (MCC) Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 下载
BSS138-TP-HF Micro Commercial Components (MCC) Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 下载
关于BSS138-TP相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
BSS138-TP 、 BSS138-TP-HF 下载文档
BSS138-TP 下载文档
BSS138-TP资料比对:
型号 BSS138-TP-HF BSS138-TP
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Micro Commercial Components (MCC) Micro Commercial Components (MCC)
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V 50 V
最大漏极电流 (ID) 0.22 A 0.22 A
最大漏源导通电阻 6 Ω 6 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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