| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| BSR316P L6327 | Infineon(英飞凌) | MOSFET P-Ch -100V -360mA SOT-23-3 | 下载 |
| BSR316PL6327 | Infineon(英飞凌) | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.36A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SC-59, 3 PIN | 下载 |
| BSR316PL6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET P-Ch -100V -360mA SOT-23-3 | 下载 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.36A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SC-59, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | SC-59 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.36 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.36 A |
| 最大漏源导通电阻 | 1.8 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 20 pF |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.5 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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