| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| BSM75GB120DN2 | SIEMENS | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT | 下载 |
| BSM75GB120DN2 | EUPEC [eupec GmbH] | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT | 下载 |
| BSM75GB120DN2 | Infineon(英飞凌) | IGBT Modules 1200V 75A DUAL | 下载 |
IGBT Modules 1200V 75A DUAL
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | MODULE |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| 针数 | 7 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
| 配置 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JESD-30 代码 | R-XUFM-X7 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 7 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 625 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 520 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 100 ns |
| VCEsat-Max | 3.2 V |
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