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BSM75GB120DN2

在3个相关元器件中,BSM75GB120DN2有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
BSM75GB120DN2 SIEMENS 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT 下载
BSM75GB120DN2 EUPEC [eupec GmbH] 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT 下载
BSM75GB120DN2 Infineon(英飞凌) IGBT Modules 1200V 75A DUAL 下载
BSM75GB120DN2的相关参数为:

器件描述

IGBT Modules 1200V 75A DUAL

参数
参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码MODULE
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数7
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)75 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X7
元件数量2
端子数量7
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)625 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)520 ns
标称接通时间 (ton)100 ns
VCEsat-Max3.2 V
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