| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| BSC022N04LS | Infineon(英飞凌) | 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:2.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,40V,100A,2.2mΩ@10V | 下载 |
| BSC022N04LS6 | Infineon(英飞凌) | Power Field-Effect Transistor, | 下载 |
| BSC022N04LSATMA1 | Infineon(英飞凌) | USB Connectors TOP MNT DUAL ROW SMT RCPT - USB Type C | 下载 |
漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:2.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,40V,100A,2.2mΩ@10V
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级(Eas) | 70 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 25 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0032 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 5 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 400 A |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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