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BSC022N04LS

在3个相关元器件中,BSC022N04LS有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
BSC022N04LS Infineon(英飞凌) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:2.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,40V,100A,2.2mΩ@10V 下载
BSC022N04LS6 Infineon(英飞凌) Power Field-Effect Transistor, 下载
BSC022N04LSATMA1 Infineon(英飞凌) USB Connectors TOP MNT DUAL ROW SMT RCPT - USB Type C 下载
BSC022N04LS的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:2.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,40V,100A,2.2mΩ@10V

参数
参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数8
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)70 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (ID)25 A
最大漏源导通电阻0.0032 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F5
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)400 A
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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