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BSB01

eeworld网站中关于BSB01有26个元器件。有BSB012N03LX3-G、BSB012N03LX3G等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
BSB012N03LX3-G Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 30V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3 下载
BSB012N03LX3G Infineon(英飞凌) OptiMOS3 Power-MOSFET 下载
BSB012N03LX3 G Infineon(英飞凌) mosfet optimos3 pwr-mosfet N-CH 下载
BSB012NE2LX Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS 下载
BSB012NE2LXI Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS 下载
BSB012NE2LXIXUMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS 下载
BSB013NE2LXI Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS 下载
BSB013NE2LXI_13 Infineon(英飞凌) OptiMOSTM Power-MOSFET 下载
BSB013NE2LXIXUMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET LV POWER MOS 下载
BSB014N04LX3 G Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3 下载
BSB014N04LX3G Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 40V 36A CanPAK3 MX OptiMOS 3 下载
BSB014N04LX3G_11 Infineon(英飞凌) n-Channel Power MOSFET 下载
BSB014N04LX3GXUMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3 下载
BSB01503HA3-00CGE Delta Electronics FAN BLOWER 15X3.5MM SLEEVE 3VDC 下载
BSB015N04NX3-G Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3 下载
BSB015N04NX3G Infineon(英飞凌) 35 A, 40 V, 0.0015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 下载
BSB015N04NX3 G Infineon(英飞凌) mosfet optimos3 pwr-mosfet N-CH 下载
BSB015N04NX3G_11 Infineon(英飞凌) n-Channel Power MOSFET 下载
BSB015N04NX3GXUMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 下载
BSB01703HA3-00CAJ Delta Electronics FAN BLOWER 17X3.4MM SLEEVE 3VDC 下载
BSB017N03LX3G Infineon(英飞凌) OptiMOS3 Power-MOSFET 下载
BSB017N03LX3-G Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 30V 147A CanPAK3 MX OptiMOS 3 下载
BSB017N03LX3 G Infineon(英飞凌) mosFET N-kanal power mos 下载
BSB019N03LXG Infineon(英飞凌) OptiMOS2 Power-MOSFET 下载
BSB019N03LX G Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 30V 31A CanPAK-3 MX 下载
BSB019N03LXGXUMA1 Infineon(英飞凌) Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 30V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, METAL, WDSON-2, 3 PIN 下载
关于BSB01相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
BSB014N04LX3 G 、 BSB014N04LX3G 、 BSB014N04LX3GXUMA1 下载文档
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BSB015N04NX3 G 、 BSB015N04NX3GXUMA1 下载文档
BSB017N03LX3-G 下载文档
BSB017N03LX3 G 下载文档
BSB01703HA3-00CAJ 下载文档
BSB017N03LX3G 下载文档
BSB019N03LX G 下载文档
BSB019N03LXGXUMA1 下载文档
BSB019N03LXG 下载文档
BSB01资料比对:
型号 BSB014N04LX3 G BSB014N04LX3G BSB014N04LX3GXUMA1
描述 MOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3 MOSFET N-Ch 40V 36A CanPAK3 MX OptiMOS 3 MOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
配置 Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
是否无铅 - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 - 符合 符合
包装说明 - WDSON-2 WDSON-2
针数 - 3 3
Reach Compliance Code - compliant compliant
ECCN代码 - EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) - 260 mJ 260 mJ
外壳连接 - DRAIN DRAIN
最小漏源击穿电压 - 40 V 40 V
最大漏极电流 (ID) - 180 A 180 A
最大漏源导通电阻 - 0.0014 Ω 0.0014 Ω
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 - R-MBCC-N3 R-MBCC-N3
湿度敏感等级 - 3 3
元件数量 - 1 1
端子数量 - 3 3
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
最低工作温度 - -40 °C -40 °C
封装主体材料 - METAL METAL
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - CHIP CARRIER CHIP CARRIER
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) - 89 W 89 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 400 A 400 A
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - YES YES
端子形式 - NO LEAD NO LEAD
端子位置 - BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
Base Number Matches - 1 1
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