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BS170PSTZ

eeworld网站中关于BS170PSTZ有3个元器件。有BS170PSTZ、BS170PSTZ等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
BS170PSTZ Diodes Incorporated MOSFET N-Chnl 60V 下载
BS170PSTZ Diodes Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 下载
BS170PSTZ Zetex Semiconductors Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 下载
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BS170PSTZ资料比对:
型号 BS170PSTZ BS170PSTZ
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Zetex Semiconductors Diodes
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-W3 IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Code unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 0.27 A 0.27 A
最大漏源导通电阻 5 Ω 5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSIP-W3 R-PSIP-W3
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 MATTE TIN Matte Tin (Sn)
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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