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BR24T02F-WGE2

在2个相关元器件中,BR24T02F-WGE2有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
BR24T02FWGE2 ROHM(罗姆半导体) High Reliability Serial EEPROMs 下载
BR24T02F-WGE2 ROHM(罗姆半导体) EEPROM 下载
BR24T02F-WGE2的相关参数为:

器件描述

EEPROM

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time11 weeks
其他特性SEATED HT-CALCULATED
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
长度5 mm
内存密度2048 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数256 words
字数代码256
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.71 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大待机电流0.000002 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.6 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE
Base Number Matches1
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器件入口   00 50 5X 82 CC FH GR GZ I5 RC RT TJ VA WJ WU

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