| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| BFP 640ESD H6327 | Infineon(英飞凌) | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 下载 |
| BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | 下载 |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 8 weeks |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 4.1 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最高频带 | X BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 参考标准 | AEC-Q101 |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON GERMANIUM CARBON |
| 标称过渡频率 (fT) | 45000 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
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