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BFP196E6327HTSA1

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器件名 厂商 描 述 功能
BFP196E6327HTSA1 Infineon(英飞凌) RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR 下载
BFP196E6327HTSA1的相关参数为:

器件描述

RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量1.4 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)7500 MHz
Base Number Matches1
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