器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
BFP196E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR | 下载 |
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
基于收集器的最大容量 | 1.4 pF |
集电极-发射极最大电压 | 12 V |
配置 | SINGLE |
最高频带 | L BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 7500 MHz |
Base Number Matches | 1 |
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