| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| BD435STU | Fairchild | RS-232 Interface IC 3-5.5V 235kbps Transceiver | 下载 |
| BD435STU | ON Semiconductor(安森美) | 额定功率:36W 集电极电流Ic:4A 集射极击穿电压Vce:32V 晶体管类型:NPN NPN,32V,4A | 下载 |
| BD435STU_11 | Fairchild | NPN Epitaxial Silicon Transistor | 下载 |
| BD435STU_NL | Fairchild | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE PACKAGE-3 | 下载 |
额定功率:36W 集电极电流Ic:4A 集射极击穿电压Vce:32V 晶体管类型:NPN NPN,32V,4A
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 包装说明 | TO-126, 3 PIN |
| 制造商包装代码 | 340AS |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 最大集电极电流 (IC) | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 32 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 50 |
| JEDEC-95代码 | TO-126 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 36 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 3 MHz |
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