| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| BCP5310TA | Diodes | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K | 下载 |
| BCP53-10TA | Zetex Semiconductors | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin | 下载 |
| BCP53-10TA | Diodes | 1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR | 下载 |
| BCP53-10-TAPE-13 | NXP(恩智浦) | 1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR | 下载 |
| BCP53-10-TAPE-7 | NXP(恩智浦) | 1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR | 下载 |
| 对应元器件 | pdf文档资料下载 |
|---|---|
| BCP53-10-TAPE-13 、 BCP53-10-TAPE-7 | 下载文档 |
| BCP5310TA | 下载文档 |
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| 型号 | BCP53-10-TAPE-7 | BCP53-10-TAPE-13 |
|---|---|---|
| 描述 | 1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR | 1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 1 A | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 80 V | 80 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 25 | 25 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 4 | 4 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 50 MHz | 50 MHz |
| VCEsat-Max | 0.5 V | 0.5 V |
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