| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| BC856AW-G | Comchip Technology | Bipolar Transistors - BJT -80V, -.1A | 下载 |
| BC856AWG | LGE | PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor | 下载 |
Bipolar Transistors - BJT -80V, -.1A
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 配置 | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 125 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
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