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BA12003

在7个相关元器件中,BA12003有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
BA12003 ETC2 SEMICONDUCTORS 下载
BA12003 ROHM(罗姆半导体) Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 7-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 16 Pin 下载
BA12003B ROHM(罗姆半导体) Buffers & Line Drivers Hi Vtg Hi current Darlington Trans 下载
BA12003BF ROHM(罗姆半导体) 0.35 mA, 55 V, 7 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 下载
BA12003BF-E2 ROHM(罗姆半导体) 7通道达林顿驱动芯片 下载
BA12003DF-Z ROHM(罗姆半导体) 7 Circuits Darlington Transistor Array 下载
BA12003-DX ROHM(罗姆半导体) Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 0.5A, PDIP16, DIP-16 下载
BA12003的相关参数为:

器件描述

Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 7-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 16 Pin

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明IN-LINE, R-PDIP-T16
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
配置7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-PDIP-T16
元件数量7
端子数量16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
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