电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

APTGT100A602G

在1个相关元器件中,APTGT100A602G有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
APTGT100A602G Microsemi mod igbt 600v 150a sp2 下载
APTGT100A602G的相关参数为:

器件描述

mod igbt 600v 150a sp2

参数
参数名称属性值
Datasheets
APTGT100A602G
Standard Package1
CategoryDiscrete Semiconductor Products
FamilyIGBTs - Modules
IGBT TypeTrench and Field S
ConfiguratiHalf Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600V
Current - Collector (Ic) (Max)150A
Power - Max340W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 100A
Current - Collector Cutoff (Max)50µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce6.1nF @ 25V
InpuStandard
NTC ThermisN
Mounting TypeThrough Hole
封装 / 箱体
Package / Case
SP2
Supplier Device PackageSP2
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   0I 1M 2O 2Z 4Q 9Q DI I5 J2 KI KN LH LK M0 R7

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved