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APT100GT60JR

在4个相关元器件中,APT100GT60JR有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
APT100GT60JR ADPOW 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT 下载
APT100GT60JR Microsemi Headers u0026 Wire Housings FRCTN LK HDR STR 2P Square post tin 下载
APT100GT60JRDL Microsemi Resonant Mode Combi IGBT 下载
APT100GT60JRDQ4 Microsemi IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi 下载
APT100GT60JR的相关参数为:

器件描述

Headers u0026 Wire Housings FRCTN LK HDR STR 2P Square post tin

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码ISOTOP
包装说明ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
针数4
制造商包装代码ISOTOP
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)148 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压30 V
JESD-30 代码R-XUFM-X4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)500 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)450 ns
标称接通时间 (ton)115 ns
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