| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| AOT11N70 | AOS | MOSFET N-CH 700V 11A TO220 | 下载 |
| AOT11N70 | ISC | isc N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
| AOT11N70 | Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) | 700V,11A N-Channel MOSFET | 下载 |
MOSFET N-CH 700V 11A TO220
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 700V |
| 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 11A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
| 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 870 毫欧 @ 5.5A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 45nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±30V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2150pF @ 25V |
| 功率耗散(最大值) | 271W(Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
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