| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| AOD424 | AOS | MOSFET N-CH 20V 18A TO252 | 下载 |
| AOD424 | 深圳杜因特(DOINGTER) | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology | 下载 |
| AOD424 | 台湾微碧(VBsemi) | N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET | 下载 |
| AOD424 | Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体) | 20V N-Channel MOSFET | 下载 |
| AOD424 | ISC | isc N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
| AOD424G | ISC | isc N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
MOSFET N-CH 20V 18A TO252
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 18A(Ta),45A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
| 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 4.4 毫欧 @ 20A,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.6V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 43nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±12V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 4630pF @ 10V |
| 功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),100W(Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
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