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74HCT10N

eeworld网站中关于74HCT10N有6个元器件。有74HCT10N、74HCT10N等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
74HCT10N Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) HCT SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, PDIP14 下载
74HCT10N NXP(恩智浦) Logic Gates TRIPLE 3-INPUT NAND GATE 下载
74HCT10N,652 NXP(恩智浦) IC GATE NAND 3CH 3-INP 14DIP 下载
74HCT10N652 NXP(恩智浦) HCT SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, PDIP14 下载
74HCT10NB NXP(恩智浦) IC HCT SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, PDIP14, Gate 下载
74HCT10N-B Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) NAND Gate, CMOS, PDIP14 下载
关于74HCT10N相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
74HCT10N,652 、 74HCT10NB 下载文档
74HCT10N652 下载文档
74HCT10N-B 下载文档
74HCT10N 下载文档
74HCT10N 下载文档
74HCT10N资料比对:
型号 74HCT10N,652 74HCT10NB
描述 IC GATE NAND 3CH 3-INP 14DIP IC HCT SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, PDIP14, Gate
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 DIP, DIP14,.3 DIP,
Reach Compliance Code compliant unknown
系列 HCT HCT
JESD-30 代码 R-PDIP-T14 R-PDIP-T14
长度 19.025 mm 19.025 mm
负载电容(CL) 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE
功能数量 3 3
输入次数 3 3
端子数量 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
传播延迟(tpd) 36 ns 36 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.2 mm 4.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 1
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