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72V283L6BCG

在3个相关元器件中,72V283L6BCG有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
72V283L6BCG IDT(艾迪悌) FIFO 3.3V 32K X 36 SSII 下载
72V283L6BCG IDT (Integrated Device Technology) CABGA-100, Tray 下载
72V283L6BCG8 IDT (Integrated Device Technology) FIFO, 32KX18, 4ns, Synchronous, CMOS, PBGA100, 11 X 11 MM, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-100 下载
72V283L6BCG的相关参数为:

器件描述

CABGA-100, Tray

参数
参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码CABGA
包装说明LBGA, BGA100,10X10,40
针数100
制造商包装代码BCG100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionCHIP ARRAY BGA 11.0 X 11.0 MM X 1.0 MM P
最长访问时间4 ns
其他特性IT CAN ALSO BE CONFIGURED AS 64K X 9; RETRANSMIT; ASYNCHRONOUS MODE IS ALSO POSSIBLE
备用内存宽度9
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
周期时间6 ns
JESD-30 代码S-PBGA-B100
JESD-609代码e1
长度11 mm
内存密度589824 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX18
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA100,10X10,40
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.5 mm
最大待机电流0.015 A
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度11 mm
Base Number Matches1
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