| 型号 |
70V261L25PFI8 |
70V261L25PFI |
| 描述 |
TQFP-100, Reel |
TQFP-100, Tray |
| Brand Name |
Integrated Device Technology |
Integrated Device Technology |
| 是否无铅 |
含铅 |
含铅 |
| 是否Rohs认证 |
不符合 |
不符合 |
| 厂商名称 |
IDT (Integrated Device Technology) |
IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 |
TQFP |
TQFP |
| 包装说明 |
PLASTIC, TQFP-100 |
PLASTIC, TQFP-100 |
| 针数 |
100 |
100 |
| 制造商包装代码 |
PN100 |
PN100 |
| Reach Compliance Code |
not_compliant |
not_compliant |
| ECCN代码 |
EAR99 |
EAR99 |
| 最长访问时间 |
25 ns |
25 ns |
| 其他特性 |
INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN |
INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN |
| I/O 类型 |
COMMON |
COMMON |
| JESD-30 代码 |
S-PQFP-G100 |
S-PQFP-G100 |
| JESD-609代码 |
e0 |
e0 |
| 长度 |
14 mm |
14 mm |
| 内存密度 |
262144 bit |
262144 bit |
| 内存集成电路类型 |
DUAL-PORT SRAM |
DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度 |
16 |
16 |
| 湿度敏感等级 |
3 |
3 |
| 功能数量 |
1 |
1 |
| 端口数量 |
2 |
2 |
| 端子数量 |
100 |
100 |
| 字数 |
16384 words |
16384 words |
| 字数代码 |
16000 |
16000 |
| 工作模式 |
ASYNCHRONOUS |
ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 |
85 °C |
85 °C |
| 最低工作温度 |
-40 °C |
-40 °C |
| 组织 |
16KX16 |
16KX16 |
| 输出特性 |
3-STATE |
3-STATE |
| 封装主体材料 |
PLASTIC/EPOXY |
PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 |
LFQFP |
LFQFP |
| 封装等效代码 |
QFP100,.63SQ,20 |
QFP100,.63SQ,20 |
| 封装形状 |
SQUARE |
SQUARE |
| 封装形式 |
FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 |
PARALLEL |
PARALLEL |
| 峰值回流温度(摄氏度) |
240 |
240 |
| 电源 |
3.3 V |
3.3 V |
| 认证状态 |
Not Qualified |
Not Qualified |
| 座面最大高度 |
1.6 mm |
1.6 mm |
| 最大待机电流 |
0.003 A |
0.003 A |
| 最小待机电流 |
3 V |
3 V |
| 最大压摆率 |
0.185 mA |
0.185 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) |
3.6 V |
3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) |
3 V |
3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) |
3.3 V |
3.3 V |
| 表面贴装 |
YES |
YES |
| 技术 |
CMOS |
CMOS |
| 温度等级 |
INDUSTRIAL |
INDUSTRIAL |
| 端子面层 |
Tin/Lead (Sn85Pb15) |
Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式 |
GULL WING |
GULL WING |
| 端子节距 |
0.5 mm |
0.5 mm |
| 端子位置 |
QUAD |
QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 |
20 |
20 |
| 宽度 |
14 mm |
14 mm |
| Base Number Matches |
1 |
1 |