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70V261L25PFI

eeworld网站中关于70V261L25PFI有4个元器件。有70V261L25PFI、70V261L25PFI等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
70V261L25PFI IDT(艾迪悌) SRAM 16Kx16,3.3V DUAL- PORT RAM w/INT 下载
70V261L25PFI IDT (Integrated Device Technology) TQFP-100, Tray 下载
70V261L25PFI8 IDT(艾迪悌) SRAM 16Kx16,3.3V DUAL- PORT RAM w/INT 下载
70V261L25PFI8 IDT (Integrated Device Technology) TQFP-100, Reel 下载
关于70V261L25PFI相关文档资料:
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70V261L25PFI 、 70V261L25PFI8 下载文档
70V261L25PFI8 下载文档
70V261L25PFI 下载文档
70V261L25PFI资料比对:
型号 70V261L25PFI8 70V261L25PFI
描述 TQFP-100, Reel TQFP-100, Tray
Brand Name Integrated Device Technology Integrated Device Technology
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 TQFP TQFP
包装说明 PLASTIC, TQFP-100 PLASTIC, TQFP-100
针数 100 100
制造商包装代码 PN100 PN100
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最长访问时间 25 ns 25 ns
其他特性 INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100
JESD-609代码 e0 e0
长度 14 mm 14 mm
内存密度 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 16 16
湿度敏感等级 3 3
功能数量 1 1
端口数量 2 2
端子数量 100 100
字数 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 16KX16 16KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFQFP LFQFP
封装等效代码 QFP100,.63SQ,20 QFP100,.63SQ,20
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 240
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm
最大待机电流 0.003 A 0.003 A
最小待机电流 3 V 3 V
最大压摆率 0.185 mA 0.185 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20
宽度 14 mm 14 mm
Base Number Matches 1 1
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