| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| 7007S25J/C | IDT(艾迪悌) | IC SRAM 256K PARALLEL 68PLCC | 下载 |
| 对应元器件 | pdf文档资料下载 |
|---|---|
| 7007S25JB8 、 7007S25JG8 、 7007S25JGB8 、 7007S25JGI8 | 下载文档 |
| 7007S25JG 、 7007S25JGB 、 7007S25JGI | 下载文档 |
| 7007S25JB 、 7007S25JI 、 7007S25JI8 | 下载文档 |
| 7007S25J/C 、 7007S25J8/C | 下载文档 |
| 7007S25J 、 7007S25J8 | 下载文档 |
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| 型号 | 7007S25JB8 | 7007S25JG8 | 7007S25JGB8 | 7007S25JGI8 |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Multi-Port SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PQCC68 | Multi-Port SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68 | Multi-Port SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68 | Multi-Port SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68 |
| 是否无铅 | 含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | compliant | compliant | compliant |
| 最长访问时间 | 25 ns | 25 ns | 25 ns | 25 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J68 | S-PQCC-J68 | S-PQCC-J68 | S-PQCC-J68 |
| JESD-609代码 | e0 | e3 | e3 | e3 |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | MULTI-PORT SRAM | MULTI-PORT SRAM | MULTI-PORT SRAM | MULTI-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 端口数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 68 | 68 | 68 | 68 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 70 °C | 125 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | - | -55 °C | -40 °C |
| 组织 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | QCCJ | QCCJ | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC68,1.0SQ | PGA68,11X11 | PGA68,11X11 | PGA68,11X11 |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 225 | 260 | 260 | 260 |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.03 A | 0.015 A | 0.03 A | 0.03 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.345 mA | 0.305 mA | 0.345 mA | 0.345 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | COMMERCIAL | MILITARY | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Matte Tin (Sn) - annealed | MATTE TIN | MATTE TIN |
| 端子形式 | J BEND | J BEND | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 | 30 |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | - | IDT (Integrated Device Technology) |
| 包装说明 | - | QCCJ, PGA68,11X11 | LCC-68 | LCC-68 |
| 功能数量 | - | 1 | 1 | 1 |
| 最大供电电压 (Vsup) | - | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | - | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
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