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2sd647

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器件名 厂商 描 述 功能
2SD647A Toshiba(东芝) SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MEGA TYPE 下载
2sd647的相关参数为:

器件描述

SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MEGA TYPE

参数
参数名称属性值
包装说明DISK BUTTON, O-CEDB-N2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)100 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码O-CEDB-N2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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器件入口   08 2V 5H 94 EQ H9 HV NB NZ Q1 QE SC VM YW ZQ

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